[发明专利]半导体结构及半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202210787527.8 | 申请日： | 2022-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN115132827A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 窦涛 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/36;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法，半导体结构包括：基底；位于基底上的半导体柱，半导体柱具有沟道区以及位于沟道区相对两侧的第一源漏区以及第二源漏区；半导体柱还包括：第一掺杂区，第一掺杂区的半导体柱环绕第一源漏区的半导体柱的部分侧面，且第一掺杂区的半导体柱与沟道区的半导体柱相接，第一掺杂区的掺杂离子类型与第一源漏区的掺杂离子类型不同，第一掺杂区的半导体柱接地。本公开实施例有利于抑制半导体结构的浮体效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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