[发明专利]半导体器件的沟道结构以及制作方法在审
| 申请号： | 202210682323.8 | 申请日： | 2022-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN114937700A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 陈鲲;杨静雯;徐敏;王晨;张卫;徐赛生;吴春蕾 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路制造创新中心有限公司;复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 徐海晟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的沟道结构，包括：第一沟道区以及第二沟道区，所述第一沟道区与所述第二沟道区均形成于所述GAA器件的源区和漏区之间；所述第一沟道区形成于衬底的第一区域上；所述第二沟道区形成于所述衬底的第二区域上；所述第一沟道区包括：沿远离所述衬底方向上依次形成的第一沟道层以及若干第二沟道层，各第二沟道层之间以及所述若干第二沟道层与所述第一沟道层之间均不接触；所述第二沟道区包括：形成于所述衬底上的所述第一沟道层。解决了如何利用简洁的工艺制作半导体器件的沟道结构的问题，实现了工艺的简化以及减小器件缺陷的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 沟道 结构 以及 制作方法 | ||
【主权项】：
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