[发明专利]半导体器件的沟道结构以及制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的沟道结构，其特征在于，包括：第一沟道区以及第二沟道区，所述第一沟道区与所述第二沟道区均形成于所述GAA器件的源区和漏区之间；

所述第一沟道区形成于衬底的第一区域上；所述第二沟道区形成于所述衬底的第二区域上；

所述第一沟道区包括：沿远离所述衬底方向上依次形成的第一沟道层以及若干第二沟道层，各第二沟道层之间以及所述若干第二沟道层与所述第一沟道层之间均不接触；

所述第二沟道区包括：形成于所述衬底上的所述第一沟道层。

2.根据权利要求1所述的提供半导体器件的沟道结构，其特征在于，所述第一沟道层的材料是SiGe。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的沟道结构，其特征在于，所述第二沟道层的材料是Si。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的沟道结构，其特征在于，所述第一区域为N型区域，所述第二区域为P型区域。

5.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的半导体器件的沟道结构。

6.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求5所述的半导体器件。

7.一种半导体器件的沟道结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底的第一区域和第二区域上沿远离所述衬底方向上依次外延第一沟道层与堆叠层；所述堆叠层包括间隔堆叠的第二沟道层和牺牲层；

对所述牺牲层进行掺杂以形成掺杂区域；

刻蚀所述第一沟道层和所述堆叠层以在所述第一区域和所述第二区域分别形成沿第一方向排列的若干鳍结构；

形成若干假栅堆叠件；假栅堆叠件形成于每个鳍结构上，且沿第二方向排列，每个所述假栅堆叠件横跨每个所述鳍结构；所述假栅堆叠件包括假栅和内隔离层；

刻蚀所述鳍结构形成刻蚀空腔；

在沿所述第二方向上的所述牺牲层的两侧形成内侧墙；

在所述刻蚀空腔中形成源区和漏区；

形成层间介质层；所述层间介质层形成于所述源区和所述漏区顶端且横跨所述源区和所述漏区，所述源区和所述漏区沿所述第二方向排列；

去除所述假栅；

在所述堆叠层的顶端涂覆光刻胶，曝光并显影所述光刻胶形成图形化光刻胶，以使得所述图形化的光刻胶覆盖所述第一区域的所述堆叠层，而暴露出所述第二区域的所述堆叠层；

刻蚀所述第二区域的所述堆叠层，剩余的所述第二区域的所述第一沟道层构成所述第二区域的第二沟道区。

选择性刻蚀所述第一区域的所述牺牲层以释放所述沟道层，并保留所述第一沟道层完整；剩余的所述第二沟道层以及所述第一沟道层构成所述第一区域的所述第一沟道区。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的沟道结构的制作方法，其特征在于，对所述牺牲层进行掺杂时采用的技术是外延原位掺杂技术。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的沟道结构的制作方法，其特征在于，刻蚀所述第二区域的所述堆叠层的方法是各项异性刻蚀法。

10.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：权利要求7至9任一项所述的半导体器件的沟道结构的制作方法。