[发明专利]碳化硅外延生长管路系统在审

专利信息
申请号: 202210667129.2 申请日: 2022-06-14
公开(公告)号: CN114855279A 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 韩景瑞;丁雄傑;杨旭腾;李锡光 申请(专利权)人: 东莞市天域半导体科技有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B25/14;C30B25/16
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 陈进芳
地址: 523000 广东省东莞市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种碳化硅外延生长管路系统,其包括储液装置、输入单元以及输出单元,储液装置包括恒温机构及设于其内的液罐,输入单元包括一输入管路,输入管路的两端分别密封地连接于液罐、载气源,输入管路上设有第一流量控制器;输出单元包括输出主管路以及并联于其的多个输出支管路,输出主管路的一端密封地连接于液罐并且其上设有压力控制器,至少一部分输出支管路上设有第二流量控制器,第二流量控制器用于控制其所在的输出支管路的流量。本发明可以实现各输出支管路的流量的分别独立控制,以及各输出支管路的剂量分配比例可调,尤其适用于大尺寸(8‑12吋)外延炉腔,以在大尺寸外延片的制备中提高其浓度均匀性与厚度均匀性等。
搜索关键词: 碳化硅 外延 生长 管路 系统
【主权项】:
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