[发明专利]碳化硅外延生长管路系统

权利要求书

1.一种碳化硅外延生长管路系统，其特征在于，包括：

储液装置，其包括恒温机构以及设于所述恒温机构内的液罐，所述恒温机构用于保持所述液罐的温度恒定；

输入单元，其包括一输入管路，所述输入管路的两端分别密封地连接于载气源及所述液罐，所述输入管路上设有第一流量控制器，所述第一流量控制器用于控制所述输入管路的流量；

输出单元，其包括输出主管路以及多个输出支管路，所述输出主管路的一端密封地连接于所述液罐，所述输出主管路的另一端并联多个所述输出支管路，且所述输出主管路上设有压力控制器，所述压力控制器用于保持所述液罐的压力恒定，至少一部分所述输出支管路上设有第二流量控制器，所述第二流量控制器用于控制其所在的所述输出支管路的流量。

2.如权利要求1所述的碳化硅外延生长管路系统，其特征在于，所述输出支管路包括一第一输出支管路以及至少一个第二输出支管路，每一所述第二输出支管路上均设有所述第二流量控制器，所述第二流量控制器用于控制所述第二输出支管路的流量，通过计算所述第一输出支管路的流量，或者计算各所述第二输出支管路的流量之和在所述输出主管路的总流量中的占比，或者直接控制所述第一输出支管路的流量，以调节所述第一输出支管路与各所述第二输出支管路的流量分配比例。

3.如权利要求2所述的碳化硅外延生长管路系统，其特征在于，所述输出主管路上设有第一流量检测器，所述第一流量检测器用于检测所述输出主管路的总流量，通过所述第二流量控制器的流量与所述第一流量检测器的流量的比值来计算各所述第二输出支管路的流量之和在所述输出主管路的总流量中的占比，或者通过所述第一流量检测器的流量与所述第二流量控制器的流量之差来计算所述第一输出支管路的流量。

4.如权利要求2或3所述的碳化硅外延生长管路系统，其特征在于，所述第一输出支管路上设有流量检测及控制单元，通过所述流量检测及控制单元来检测并直接控制所述第一输出支管路的流量。

5.如权利要求4所述的碳化硅外延生长管路系统，其特征在于，所述流量检测及控制单元为所述第二流量控制器，通过所述第二流量控制器来控制所述第一输出支管路的流量；或者

所述流量检测及控制单元包括第二流量检测器及阻力调节器，通过调节所述阻力调节器的阻力来调节所述第一输出支管路的流量，通过所述第二流量检测器来检测所述第一输出支管路的流量。

6.如权利要求5所述的碳化硅外延生长管路系统，其特征在于，所述阻力调节器为针阀，所述第二流量检测器均为流量计。

7.如权利要求2或3所述的碳化硅外延生长管路系统，其特征在于，所述输出主管路上还设有压力传感器，所述压力传感器用于检测所述输出主管路与所述第一输出支管路、所述第二输出支管路之间的压力。

8.如权利要求1-3任一项所述的碳化硅外延生长管路系统，其特征在于，所述输出单元还包括一排空管路，所述排空管路与所述输出支管路并联于所述输出主管路，并且所述排空管路上设有爆破阀，当所述输出主管路与所述输出支管路之间的压力大于所述爆破阀的阈值时，所述爆破阀被破坏而通过所述排空管路泄压。

9.如权利要求3所述的碳化硅外延生长管路系统，其特征在于，还包括控制器，所述控制器分别电连接于所述压力控制器、所述第一流量控制器、所述第二流量控制器、所述第一流量检测器，所述控制器用于获取所述第一流量控制器、所述第二流量控制器、所述第一流量检测器的流量，并用于根据所述第一流量控制器的流量以及所述液罐内的液相源在载气中溶解的密度来计算所述液相源的总剂量，还用于根据各所述第二流量控制器的流量以及所述第一流量检测器的流量，计算所述第二输出支管路的流量之和在所述输出主管路的总流量中的占比，或者计算所述输出主管路的总流量与各所述第二流量控制器的流量之差。

10.如权利要求3所述的碳化硅外延生长管路系统，其特征在于，所述第一流量控制器、所述第二流量控制器均为质量流量计，所述第一流量检测器为流量计。