[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210652179.3 | 申请日： | 2022-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN114914294A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 | 申请（专利权）人： | 飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 樊文娜;刘荣娟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体基板，所述半导体基板上包括外延层，所述外延层中形成有第一掺杂区、自所述外延层的表面延伸至所述第一掺杂区中的第三掺杂区及位于所述第三掺杂区两侧的第一掺杂区上的第二掺杂区；第四掺杂区，位于所述第一掺杂区两侧的外延层中并位于所述半导体基板的表面；电介质层，位于所述第四掺杂区上；沟道层，位于所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及部分所述外延层的侧壁并延伸至所述电介质层上；控制栅极，位于所述电介质层上并覆盖所述沟道层的侧壁，且所述控制栅极的顶面和所述第二掺杂区的表面平齐。本申请的半导体结构可以提高正向电流和反向电压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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