[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210609454.3 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114975302A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 松岛芳宏;曾田茂稔;安田英司;今井俊和;大河亮介;吉田一磨;加藤亮 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/15;H01L23/482 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 安香子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
半导体装置具备：N型的半导体基板，由硅构成；N型的低浓度杂质层，与半导体基板的上表面接触；金属层，与半导体基板的下表面接触；以及第1及第2晶体管，形成在低浓度杂质层内；半导体基板作为晶体管的漏极区域发挥功能；将在晶体管的源极电极之间经由第1晶体管侧的半导体基板、金属层、第2晶体管侧的半导体基板流动的双向路径作为主电流路径；金属层的厚度相对于包括半导体基板和低浓度杂质层的半导体层的厚度的比例大于0.27；半导体装置还在金属层的下表面具有仅经由粘接层粘接的由陶瓷材料构成的支承体，在设支承体的厚度为t |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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