[发明专利]引线框架、半导体封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 202210586789.8 | 申请日： | 2022-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN115020367A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 陆闯 | 申请（专利权）人： | 长电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 孙凤 |
| 地址： | 223800 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种引线框架、半导体封装结构及封装方法，所述引线框架包括镀银层，所述镀银层具有与焊线的第二焊点相结合的打线区；所述打线区凹设有凹槽，所述凹槽用以与所述第二焊点相结合；能够去除镀银层上与第二焊点相对应的位置处的沾污以及氧化层，提升第二焊点与打线区的结合强度，避免第二焊点脱落，从而，提高产品可靠性与电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 引线 框架 半导体 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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