[发明专利]一种大容量立体堆叠的DDR3芯片在审
| 申请号： | 202210576411.X | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN115000046A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 杨芳;李居强;王良江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L25/065 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨强;杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种大容量立体堆叠的DDR3芯片，属于半导体存储领域，包括多颗DDR3裸芯和TSV；多颗TSV堆叠放置，其两侧分别有相同数量的DDR3裸芯堆叠放置；在水平方向上，每层的DDR3裸芯与同层TSV通过RDL再布线实现同层互连；同层DDR3裸芯与TSV通过molding塑封材料进行包覆，隔绝TSV和DDR3裸芯与外界的接触；所述RDL再布线的底部固定有焊球，用于不同层的互连，最底层的焊球作为芯片的引出端。本发明采用先进封装的技术手段，解决了当前因单颗DDR3芯片位宽较小，需多颗芯片搭配处理器使用，增加系统的体积及重量问题，尺寸小、功耗低、性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 容量 立体 堆叠 ddr3 芯片 | ||
【主权项】：
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