[发明专利]一种大容量立体堆叠的DDR3芯片

权利要求书

1.一种大容量立体堆叠的DDR3芯片，其特征在于，包括多颗DDR3裸芯和TSV；

多颗TSV堆叠放置，其两侧分别有相同数量的DDR3裸芯堆叠放置；在水平方向上，每层的DDR3裸芯与同层TSV通过RDL再布线实现同层互连；

同层DDR3裸芯与TSV通过molding塑封材料进行包覆，隔绝TSV和DDR3裸芯与外界的接触；

所述RDL再布线的底部固定有焊球，用于不同层的互连，最底层的焊球作为芯片的引出端。

2.如权利要求1所述的大容量立体堆叠的DDR3芯片，其特征在于，所述DDR3裸芯的型号为MT41K512M16V91AWC1，所述DDR3裸芯的数量为8，每层DDR3裸芯为2颗，共四层。

3.如权利要求2所述的大容量立体堆叠的DDR3芯片，其特征在于，每层中的DDR3裸芯含有PAD的一面朝下，与同层中间的TSV进行RDL再布线，通过molding塑封材料进行包覆，底部固定焊球形成一层独立的2片16位DDR3芯片，通过相同的4层垂直方向堆叠，形成2片4倍扩容的64位DDR3芯片。

4.如权利要求3所述的大容量立体堆叠的DDR3芯片，其特征在于，所述molding塑封材料包覆同层DDR3裸芯与TSV的侧面与顶部，底部露出DDR3裸芯的PAD与TSV的PAD，以用于RDL再布线，最后再进行固定焊球。

5.如权利要求4所述的大容量立体堆叠的DDR3芯片，其特征在于，所述TSV中布满TSV通孔，用于实现不同层DDR3裸芯的垂直互连，同层DDR3裸芯与TSV通过RDL再布线实现互连，不同层DDR3裸芯通过TSV通孔实现垂直互连，TSV直径为100um，间距为250um，TSV通孔数量为928个。

6.如权利要求5所述的大容量立体堆叠的DDR3芯片，其特征在于，所述RDL再布线采用中道工艺实现裸芯片的再布线，通过多层RDL再布线将DDR3裸芯与TSV连接，将DDR3裸芯的信号引到TSV上，再通过TSV将所有信号引到最底层焊球，最终实现与外界的互连；所述RDL再布线层为4P4M。

7.如权利要求6所述的大容量立体堆叠的DDR3芯片，其特征在于，8颗DDR3裸芯的有用信号引出端包括电源管脚VDD、VDDQ、VREF，地管脚GND，写使能WE#，列选CAS#，行选RAS#，片选CS#，时钟输入CK、CK#，时钟使能CKE，输出驱动校准ZQ，终端电阻使能ODT，复位RESET#，地址管脚A[15:0]，BANK选择BA[2:0]，数据管脚DQ[63:0]，数据选通DQS[7:0]、DQS#[7:0]和数据写入掩码DM[7:0]；8颗DDR3裸芯的有用信号引出端之间的互连关系为：电源管脚VDD、VDDQ、VREF互连，地管脚GND互连，写使能WE#互连，列选CAS#互连，行选RAS#互连，片选CS#互连，时钟输入CK、CK#互连，时钟使能CKE互连，输出驱动校准ZQ互连，终端电阻使能ODT互连，复位RESET#互连，地址管脚A[15:0]互连，BANK选择BA[2:0]互连，数据管脚DQ[63:0]单独引出不互连，数据选通DQS[7:0]单独引出不互连、DQS#[7:0]单独引出不互连，数据写入掩码DM[7:0]单独引出不互连。

8.如权利要求7所述的大容量立体堆叠的DDR3芯片，其特征在于，所述焊球为导电材料，数量为4064颗。