[发明专利]半导体级四氯化铪的制备方法在审
| 申请号： | 202210547006.5 | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN114835160A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 董礼;万欣;徐耀中;刘子伟;邓革革;吴浩 | 申请（专利权）人： | 江苏南大光电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G27/04 | 分类号： | C01G27/04 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 王玉国 |
| 地址： | 215021 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体级四氯化铪的制备方法，在惰性气氛下取用无机纯度在99.9％以上的四氯化铪原料；惰性气氛下升华收集中间馏分，于真空条件升华，高温区温度280℃～250℃，升华温度230℃～210℃，高沸点区温度200℃～180℃，接收区温度150℃～130℃，低沸点区接收温度120℃～90℃；升华结束，破空，在惰性气氛无水无氧条件下刮料。通过高真空减压升华工艺提纯固体源，确保收集到的四氯化铪纯度达到99.999％以上，高真空有效去除高沸点杂质；通过惰性手套箱的使用，确保产品不会吸潮腐蚀；显著降低四氯化铪中的锆、铁、钛等金属无机离子含量，作为制备氧化铪沉积层的原料，满足14nm制程工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 氯化 制备 方法 | ||
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