[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210545523.9 | 申请日： | 2022-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN114883460A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 程龙;高虹;曾家明;郑文杰;刘春杨;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;C30B25/16;C30B29/40;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 330096 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片包括：衬底，以及在所述衬底上依次沉积的缓冲层、三维成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，其中，所述三维成核层包括层叠的第一三维成核子层和第二三维成核子层，所述第一三维成核子层的厚度小于所述第二三维成核子层的厚度，所述第一三维成核子层和所述第二三维成核子层均为MgGaN层，所述第二三维成核子层生长温度比所述第一三维成核子层的生长温度高10～100℃。该发光二极管外延片可以提高V型坑密度，提高载流子的注入效率，提升发光二极管的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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