[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底以及位于基底表面的初始位线，初始位线沿第一方向延伸；半导体柱，半导体柱位于初始位线远离基底的一侧，沿垂直于初始位线表面的方向上，半导体柱包括依次排列的第一区、沟道区以及第二区，第一区与初始位线相接触，且沿垂直于第一方向的方向上，初始位线的宽度大于第一区的宽度，形成第一区的材料和形成初始位线的材料相同；字线结构，字线结构环绕沟道区，且字线结构沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交。本公开实施例至少有利于提高半导体结构的电学性能。