[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底以及位于所述基底表面的初始位线，所述初始位线沿第一方向延伸；

半导体柱，所述半导体柱位于所述初始位线远离所述基底的一侧，沿垂直于所述初始位线表面的方向上，所述半导体柱包括依次排列的第一区、沟道区以及第二区，所述第一区与所述初始位线相接触，且沿垂直于所述第一方向的方向上，所述初始位线的宽度大于所述第一区的宽度，形成所述第一区的材料和形成所述初始位线的材料相同；

字线结构，所述字线结构环绕所述沟道区，且所述字线结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿垂直于所述初始位线表面的方向上，所述初始位线的高度与所述第一区的高度的比值为1/3～2/3。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一金属半导体化合物层，所述第一金属半导体化合物层位于所述初始位线远离所述基底的一侧，所述第一金属半导体化合物层和所述初始位线共同构成位线。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一金属层，所述第一金属层位于所述第一金属半导体化合物层远离所述初始位线的一侧，所述第一金属层、所述第一金属半导体化合物层和所述初始位线共同构成所述位线。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第二金属半导体化合物层，所述第二金属半导体化合物层位于所述第二区远离所述沟道区的一侧。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

隔离结构，所述隔离结构位于所述字线结构与所述初始位线之间，所述隔离结构还位于所述字线结构与所述半导体柱之间；

电容结构，所述电容结构位于所述第二区远离所述沟道区的一侧。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

电容接触结构，所述电容接触结构位于所述电容结构与所述第二区之间。

8.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成初始位线和半导体柱，所述初始位线沿第一方向延伸，所述半导体柱位于所述初始位线远离所述基底的一侧，沿垂直于所述初始位线表面的方向上，所述半导体柱包括依次排列的第一区、沟道区以及第二区，所述第一区与所述初始位线相接触，且沿垂直于所述第一方向的方向上，所述初始位线的宽度大于所述第一区的宽度，形成所述第一区的材料和形成所述初始位线的材料相同；

形成字线结构，所述字线结构环绕所述沟道区，且所述字线结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述基底表面形成所述初始位线和所述半导体柱的步骤包括：

在所述基底上形成初始半导体层，所述初始半导体层包括堆叠的初始第一区、初始沟道区以及初始第二区；

图形化所述初始半导体层以形成半导体层以及位于所述半导体层上的所述半导体柱，且所述半导体层覆盖所述基底表面，其中，图形化后剩余的所述初始第二区作为所述第二区，图形化后剩余的所述初始沟道区作为所述沟道区，图形化后剩余的所述初始第一区作为所述第一区和所述半导体层；

图形化所述半导体层以形成所述初始位线。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，沿垂直于所述基底表面的方向上，所述初始位线的高度与所述第一区的高度的比值为1/3～2/3。