[发明专利]碳化硅MOSFET器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202210484974.6 | 申请日： | 2022-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN114883412A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 袁俊 | 申请（专利权）人： | 湖北九峰山实验室 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制作方法，所述碳化硅MOSFET具有第一耐压掩蔽结构和第二耐压掩蔽结构，提高了器件的耐压性能，能够避免栅极绝缘介质层击穿问题，提高了器件对于恶劣环境的静电效应以及电路中的高压尖峰耐受能力，并提高器件抗涌电压能力和过压保护能力，还可以基于所述第一沟槽进行离子注入形成所述第一耐压掩蔽结构，通过所述第二沟槽进行离子注入形成所述第二耐压掩蔽结构，无需高剂量高能量的离子注入即可实现碳化硅外延层内较大深度的离子注入区，制作工艺简单，制作成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 mosfet 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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