[发明专利]一种屏蔽栅MOSFET(SGT)的制作方法在审
| 申请号： | 202210482999.2 | 申请日： | 2022-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN114999916A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 黄平;鲍利华;顾海颖 | 申请（专利权）人： | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 201401 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开的屏蔽栅MOSFET(SGT)的制作方法，其经过多次氧化、多次蚀、多次淀积，尤其是第一次沟槽的宽度要比第二次沟槽的宽度要宽；Spacer材料是Si3N4；两层多晶硅之间的氧化层，采用热氧化。本发明具有以下优点：1)第二次氧化时，在Spacer侧壁上几乎不会生长SiO2，所以第一次多晶硅刻蚀之后可以非常容易去除侧壁上的氧化层；2)第一次多晶硅刻蚀之后，采用热氧化的方法，可以非常方便生长厚的隔离氧化层(第三氧化层)，这样就很好地避免了之前两层多晶硅之间隔离氧化层太薄的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 mosfet sgt 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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