[发明专利]图形化掩膜层的制备方法和半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202210464954.2 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114859659A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 李乐;叶蕾;胡林辉;黄永彬;王峰 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/26;H01L21/027;H01L21/266 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 周旋 |
| 地址： | 200135 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种图形化掩膜层的制备方法和半导体结构的制备方法。图形化掩膜层的制备方法包括：提供基底；于基底的表面形成图形化光阻层，图形化光阻层内具有第一开口，第一开口暴露出基底的表面；于开口内及图形化光阻层的表面形成化学修整涂层；对所得结构进行处理，使部分图形化光阻层与化学修整涂层反应，以形成光阻反应层；显影去除化学修整涂层及光阻反应层，以得到图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有第二开口，第二开口暴露出基底的表面。本发明的图形化掩膜层的制备方法不需要刻蚀工艺便能获得图形化掩膜层，因此不会损伤基底，进而不会损伤基底内的源区等结构，可以提升器件性能，降低器件的缺陷数量，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 化掩膜层 制备 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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