[发明专利]一种改善栅电容特性的超结MOSFET有效
| 申请号： | 202210370737.7 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN114464671B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 杨国江;郭智;汪阳 | 申请（专利权）人： | 江苏长晶浦联功率半导体有限公司;江苏长晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 奚铭 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种改善栅电容特性的超结MOSFET，包括源极金属层、高掺杂第二类导电类型半导体JFET区、中低掺杂第二类导电类型半导体耗尽区扩展层、中等掺杂第二类导电类型半导体柱区、中高掺杂第二类导电类型半导体耗尽区压缩层、高掺杂第二类导电类型半导体漏区、漏极金属层；本发明在超结MOSFET器件的基础上，在第二类导电类型柱区近JFET端设置低掺杂区域，近缓冲层端设置高掺杂区域，同时设置较高掺杂的薄JFET区保证器件电流能力和栅控能力。本发明使栅漏电容随电压变化的陡变现象得到缓和，在兼顾开关速度的同时，改善了超结器件的EMI特性，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 电容 特性 mosfet | ||
【主权项】：
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