[发明专利]半导体元件、电子系统及其半导体元件静电放电保护方法在审
| 申请号： | 202210350211.2 | 申请日： | 2022-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN115911004A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 李俊禄 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件、一种电子系统以及一种半导体元件的静电放电保护方法。该半导体芯片具有一基底；一操作焊料结构，设置在该基底的一第一表面上以接收一操作信号；一检测焊料结构，设置在该基底的该第一表面上以接收一芯片连接信号；以及一半导体芯片，设置在该基底的一第二表面上。该半导体芯片具有一操作电性接触点，耦接到该操作焊料结构；一检测电性接触点，耦接到该检测焊料结构；一静电放电保护单元，耦接到该操作电性接触点；以及一逻辑电路，耦接到该检测电性接触点以依据该芯片连接信号而调整该静电放电保护单元的电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 电子 系统 及其 静电 放电 保护 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210350211.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
