[发明专利]存储器、半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210349047.3 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN116940109A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 邵光速;苏星松;肖德元 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开是关于半导体技术领域，涉及一种存储器、半导体结构及其形成方法，本公开的形成方法包括：提供衬底；在衬底内形成多组沿第一方向间隔分布的支撑柱，每组支撑柱沿第二方向间隔分布，第一方向与第二方向相交；形成填充相邻支撑柱的顶部间隙的支撑层；采用外延生长工艺在各支撑柱的顶部分别形成外延柱；在各外延柱及各支撑柱共同构成的结构的表面形成电容结构。本公开的半导体结构的形成方法可增加存储容量，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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