[发明专利]半导体装置和制造方法在审
| 申请号： | 202210347147.2 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN115207114A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 樱井洋辅;野口晴司;吉村尚;泷下博;内田美佐稀 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/36;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置和制造方法，在深度方向上较长地形成高浓度区。半导体装置设置有IGBT，并具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且整体地分布有体施主；氢峰，其氢化学浓度示出极大值，并包含在深度方向上距半导体基板的下表面25μm以上而配置的顶点、氢化学浓度从顶点朝向上表面减小的上侧拖尾、以及氢化学浓度从顶点朝向下表面且比上侧拖尾平缓地减小的下侧拖尾；以及第一高浓度区，其施主浓度高于体施主浓度且包含从氢峰的顶点朝向上表面延伸4μm以上的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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