[发明专利]堆叠半导体芯片及其制备方法、贯通孔的修复方法在审
| 申请号： | 202210332324.X | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114743929A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李金鑫;王斌;侯俊文 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种堆叠半导体芯片及其制备方法、贯通孔的修复方法。该堆叠半导体芯片包括：层叠设置的至少两层晶粒、修复层以及导体；其中，至少两层晶粒中的至少一层晶粒具有贯通孔；修复层粘附于贯通孔的内侧壁以平整化内侧壁，修复层包括物理团聚而成的导电颗粒；导体形成于贯通孔的修复层之外的空间内，以将至少两层晶粒电连通。该堆叠半导体芯片的导电性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 半导体 芯片 及其 制备 方法 贯通 修复 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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