[发明专利]堆叠半导体芯片及其制备方法、贯通孔的修复方法在审
| 申请号： | 202210332324.X | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114743929A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李金鑫;王斌;侯俊文 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 堆叠 半导体 芯片 及其 制备 方法 贯通 修复 | ||
1.一种堆叠半导体芯片，其特征在于，包括：
层叠设置的至少两层晶粒；所述至少两层晶粒中的至少一层所述晶粒具有贯通孔；
修复层，粘附于所述贯通孔的内侧壁以平整化所述内侧壁，所述修复层包括物理团聚而成的导电颗粒；
导体，形成于所述贯通孔的所述修复层之外的空间内，以将所述至少两层晶粒电连通。
2.根据权利要求1所述的堆叠半导体芯片，其特征在于，所述修复层的材质包括混合在一起的粘接剂和所述导电颗粒。
3.根据权利要求2所述的堆叠半导体芯片，其特征在于，所述导电颗粒包括银纳米颗粒和/或金属颗粒。
4.根据权利要求3所述的堆叠半导体芯片，其特征在于，所述导电颗粒包括所述银纳米颗粒和所述金属颗粒；且所述粘接剂、所述银纳米颗粒以及所述金属颗粒的比例为1：1：(9-11)。
5.根据权利要求4所述的堆叠半导体芯片，其特征在于，所述粘接剂、所述银纳米颗粒以及所述金属颗粒的比例为1：1：10。
6.一种堆叠半导体芯片的制备方法，其特征在于，包括：
提供至少两层晶圆；其中，至少一层所述晶圆上具有贯通孔；
在所述贯通孔的内侧壁上粘附修复层，以平整化所述内侧壁；
在所述贯通孔的所述修复层之外的空间内形成导体。
7.根据权利要求6所述的堆叠半导体芯片的制备方法，其特征在于，所述在所述贯通孔的内侧壁上粘附修复层的步骤包括：
使混合有导电颗粒的流体流经所述贯通孔的内侧壁，以使至少部分所述导电颗粒吸附于所述贯通孔的内侧壁；
对吸附于所述贯通孔的内侧壁上的所述导电颗粒进行固化，以形成修复层。
8.根据权利要求7所述的堆叠半导体芯片的制备方法，其特征在于，所述导电颗粒包括银纳米颗粒和/或金属颗粒。
9.根据权利要求8所述的堆叠半导体芯片的制备方法，其特征在于，所述流体内混合有粘接剂和流体介质；所述导电颗粒包括所述银纳米颗粒和所述金属颗粒；且所述粘接剂、所述银纳米颗粒、所述金属颗粒以及所述流体介质的比例为1：1：(9-11)：(9-11)。
10.一种贯通孔的修复方法，其特征在于，包括：
提供一半导体片材，所述半导体片材上具有贯通孔；
使混合有导电颗粒的流体流经所述贯通孔的内侧壁，以使至少部分所述导电颗粒吸附于所述贯通孔的内侧壁；
对吸附于所述贯通孔的内侧壁上的所述导电颗粒进行固化，以形成修复层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安紫光国芯半导体有限公司，未经西安紫光国芯半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210332324.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
