[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210305036.5 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN115547978A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 罗相喆;朴基澈;南瑞祐;李东翼 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈晓博;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：基底；第一层间绝缘层，位于基底上；下布线图案，在第一层间绝缘层内部；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；过孔沟槽，在第二层间绝缘层和蚀刻停止层内部并且延伸到下布线图案；过孔，在过孔沟槽内部，并且与第二层间绝缘层接触并由单个膜形成；上布线沟槽，形成在第二层间绝缘层内部并且位于过孔上；以及上布线图案，在上布线沟槽内部并且包括上布线阻挡层和位于上布线阻挡层上的上布线填充层。过孔的上表面与上布线填充层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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