[发明专利]制造半导体元件的方法在审
| 申请号： | 202210280810.1 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN115528097A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 萧旭明;王绅;徐功书;林纮平;王祥保;陈哲夫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在制造半导体元件的方法中，形成包括牺牲栅电极的牺牲栅极结构在基板上。形成第一介电层在牺牲栅极结构上。形成第二介电层在第一介电层上。平坦化并凹陷第二和第一介电层，并且牺牲栅极结构的上部暴露。形成第三介电层在暴露的牺牲栅极结构上和第一介电层上。形成第四介电层在第三介电层上。平坦化第四和第三介电层，并且牺牲栅电极暴露，并且部分第三介电层保留在凹陷的第一介电层上。凹陷第一介电层包括第一蚀刻操作和使用与第一蚀刻操作不同的蚀刻剂的第二蚀刻操作。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
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