[发明专利]制造半导体元件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包括：

形成一牺牲栅极结构在一基板上方，该牺牲栅极结构包括一牺牲栅电极；

形成一第一介电层在该牺牲栅极结构上方；

形成一第二介电层在该第一介电层上方；

平坦化该第二介电层和该第一介电层；

凹陷该第一介电层，使得该牺牲栅极结构的一上部暴露，而该牺牲栅极结构的一下部嵌入该第一介电层中；

形成一第三介电层在暴露的该牺牲栅极结构上方和该第一介电层上方；

形成一第四介电层在该第三介电层上方；及

平坦化该第四介电层和该第三介电层，使得该牺牲栅电极暴露并且部分的该第三介电层保留在凹陷的该第一介电层上，

其中凹陷该第一介电层包括一第一蚀刻操作和使用与该第一蚀刻操作不同的一蚀刻剂的一第二蚀刻操作。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一蚀刻操作为不使用电浆的一化学干蚀刻制程，而该第二蚀刻操作为一电浆干蚀刻制程。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一介电层包括一基于氧化硅的材料，而该第二介电层包括不同于该第一介电层的一基于氮化硅的材料。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第三介电层包括一基于氮化硅的材料，而该第四介电层包括不同于该第三介电层的一基于氧化硅的材料。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，平坦化该第四介电层和该第三介电层包括：

用于蚀刻该第四介电层的一第一化学机械抛光制程；

用于蚀刻该第三介电层的一第二化学机械抛光制程，其当该牺牲栅电极暴露出时结束；及

用于凹陷该第三介电层和该牺牲栅电极的一第三化学机械抛光制程。

6.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包括：

形成多个牺牲栅极结构和一第一介电层在一基板上方，其中各该牺牲栅极结构包括一牺牲栅电极，该些牺牲栅极结构嵌入该第一介电层中，并且各该牺牲栅极结构的一上表面自该第一介电层暴露出；

部分去除该第一介电层；

形成一第二介电层在部分去除的该第一介电层上方；

自各该牺牲栅极结构去除该牺牲栅电极，从而形成多个栅极空间；及

形成多个栅电极结构在该些栅极空间中，

其中部分去除该第一介电层之后，部分去除的该第一介电层在相邻的两个牺牲栅极结构之间的一峰谷距离为1nm至10nm。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，部分去除该第一介电层包括一第一蚀刻操作和使用与该第一蚀刻操作不同的一蚀刻剂的一第二蚀刻操作。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该第一蚀刻操作之后，部分去除的该第一介电层在相邻的两个牺牲栅极结构之间的一峰谷距离为2nm至15nm，其大于该第二蚀刻操作之后的一峰谷距离。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该第二蚀刻操作之后该介电层的一上表面与相邻的该两个牺牲栅极结构的其中一者在一界面处的一角度为60度至95度，其相对于相邻的该两个牺牲栅极结构的该者。

10.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包括：

形成多个牺牲栅极结构和一第一介电层在一基板上方，其中各该牺牲栅极结构包括一牺牲栅电极、一牺牲栅介电层、设置在该牺牲栅电极的多个相对侧面上的多个第一栅极侧壁间隔物和设置在该些第一栅极侧壁间隔物上的多个第二栅极侧壁间隔物，该些牺牲栅极结构嵌入该第一介电层中，并且各该牺牲栅极结构的一上表面自该第一介电层暴露出；

部分去除该第一介电层；

形成一第二介电层在部分去除的该第一介电层上方；

自各该牺牲栅极结构部分去除该牺牲栅电极；

部分去除该些第二栅极侧壁间隔物；

完全去除一剩余牺牲栅电极；

去除该牺牲栅介电层，从而形成一栅极空间；及

形成一栅电极结构在该栅极空间中。