[发明专利]一种半导体芯片生产用模块化化学气相沉积反应器在审
申请号: | 202210275329.3 | 申请日: | 2022-03-21 |
公开(公告)号: | CN115522182A | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 黄特伟 | 申请(专利权)人: | 黄特伟 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/44;H01L21/687 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 529400 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体芯片生产用模块化化学气相沉积反应器,包括底座,所述底座的底部固定安装有气缸,所述底座的顶部固定安装有对称设置的两个中空滑杆,两个所述中空滑杆的顶部固定安装有同一个化学气相沉积反应箱,所述化学气相沉积反应箱的底部开设有槽孔,两个所述中空滑杆上滑动套装有同一个升降台。本发明不仅能够对不同宽度的芯片进行夹紧固定,满足了不同宽度芯片的化学气相沉积反应需求,适用范围广,同时能够在完成化学气相沉积反应后对尾气管道内壁上的凝结物进行自动刮除,无需人工后续进行清理,保证了尾气管道的使用效果,使用方便,还能够有效的避免凝结物堆积过多影响尾气管道的使用,提高了工作效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 生产 模块化 化学 沉积 反应器 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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