[发明专利]基于半导体封装的深孔加工工艺方法在审

专利信息
申请号: 202210254633.X 申请日: 2022-03-16
公开(公告)号: CN114361045A 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 张光耀;谭小春 申请(专利权)人: 合肥矽迈微电子科技有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230088 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供的基于半导体封装的深孔加工工艺方法,通过在塑封的各元器件贴装到基板上时,同时在基板上贴装导电块,且导电块与元器件均处于基板的同一侧,然后将需要塑封的各所述元器件、导电块进行塑封,形成塑封体,后期在深孔加工时,在所述塑封体上的位于所述导电块的位置,进行深孔加工,形成深孔,直到暴露所述导电块,能够缩短深孔的深度,特别是在厚度较厚的塑封体中,本发明提供给的方法效果尤为明显,避免因深孔的深度过深,导致电镀不完整,或者电镀的金属侧壁无法成型的现象发生,从而避免了接触不良,提高芯片可靠性,降低次品率。
搜索关键词: 基于 半导体 封装 加工 工艺 方法
【主权项】:
暂无信息
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