[发明专利]基于半导体封装的深孔加工工艺方法在审
申请号: | 202210254633.X | 申请日: | 2022-03-16 |
公开(公告)号: | CN114361045A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 张光耀;谭小春 | 申请(专利权)人: | 合肥矽迈微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230088 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供的基于半导体封装的深孔加工工艺方法,通过在塑封的各元器件贴装到基板上时,同时在基板上贴装导电块,且导电块与元器件均处于基板的同一侧,然后将需要塑封的各所述元器件、导电块进行塑封,形成塑封体,后期在深孔加工时,在所述塑封体上的位于所述导电块的位置,进行深孔加工,形成深孔,直到暴露所述导电块,能够缩短深孔的深度,特别是在厚度较厚的塑封体中,本发明提供给的方法效果尤为明显,避免因深孔的深度过深,导致电镀不完整,或者电镀的金属侧壁无法成型的现象发生,从而避免了接触不良,提高芯片可靠性,降低次品率。 | ||
搜索关键词: | 基于 半导体 封装 加工 工艺 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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