[发明专利]基于半导体封装的深孔加工工艺方法

说明书

本发明提供的基于半导体封装的深孔加工工艺方法，通过在塑封的各元器件贴装到基板上时，同时在基板上贴装导电块，且导电块与元器件均处于基板的同一侧，然后将需要塑封的各所述元器件、导电块进行塑封，形成塑封体，后期在深孔加工时，在所述塑封体上的位于所述导电块的位置，进行深孔加工，形成深孔，直到暴露所述导电块，能够缩短深孔的深度，特别是在厚度较厚的塑封体中，本发明提供给的方法效果尤为明显，避免因深孔的深度过深，导致电镀不完整，或者电镀的金属侧壁无法成型的现象发生，从而避免了接触不良，提高芯片可靠性，降低次品率。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及基于半导体封装的深孔加工工艺方法。

背景技术

半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片（Die），然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金锡铜铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（Bond Pad）连接到基板的相应引脚（Lead），并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试，通常经过入检Incoming、测试Test和包装Packing等工序，最后入库出货。

现有技术中，半导体封装时，将各个元器件贴装在基板上，然后进行塑封，为了让与元器件连接的重布线层与塑封体外部分外引脚连接，通常需要在塑封体上进行打孔，然后通过在孔内进行电镀，使不在塑封体同一侧的重布线层与外引脚进行连接，但是如果塑封体的厚度较厚时，在孔内进行电镀的话，很容易导致电镀不完整，或者电镀的金属侧壁无法成型，导致接触不良，从而导致芯片次品率大大增加。

发明内容

本发明提供了一种能够解决上述问题的基于半导体封装的深孔加工工艺方法。

本发明所采取的技术方案如下：

基于半导体封装的深孔加工工艺方法，提供一基板，将需要塑封的各元器件贴装到所述基板上，在基板上贴装导电块，所述导电块与所述元器件均处于所述基板的同一侧；

将需要塑封的各所述元器件、导电块进行塑封，形成塑封体；

在所述塑封体上的位于所述导电块的位置，进行深孔加工，形成深孔直到暴露所述导电块；

在深孔中进行电镀，形成具有电性连接的导电层；

进行后续常规半导体封装工艺。

进一步的，所述导电块为无源金属块。

进一步的，所述导电块为可导电树脂。

进一步的，在所述塑封体上的位于所述导电块的位置，通过激光钻孔或者蚀刻的方式进行深孔加工。

本发明与现有技术相比较，本发明的有益效果如下：本发明通过在塑封的各元器件贴装到所述基板上时，同时在基板上贴装导电块，且所述导电块与所述元器件均处于所述基板的同一侧，然后将需要塑封的各所述元器件、导电块进行塑封，形成塑封体，后期在深孔加工时，在所述塑封体上的位于所述导电块的位置，进行深孔加工，形成深孔，直到暴露所述导电块，能够缩短深孔的深度，特别是在厚度较厚的塑封体中，本发明提供给的方法效果尤为明显，避免因深孔的深度过深，导致电镀不完整，或者电镀的金属侧壁无法成型的现象发生，从而避免了接触不良，提高芯片可靠性，降低次品率。

附图说明

图1为本发明提供的基于半导体封装的深孔加工工艺方法中的深孔结构示意图。

具体实施方式

下面将结合具体的实施方式来说明本发明的内容，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。