[发明专利]基于半导体封装的深孔加工工艺方法

权利要求书

1.基于半导体封装的深孔加工工艺方法，其特征在于，提供一基板（10），将需要塑封的各元器件（20）贴装到所述基板（10）上，在基板（10）上贴装导电块（30），所述导电块（30）与所述元器件（20）均处于所述基板（10）的同一侧；

将需要塑封的各所述元器件（20）、导电块（30）进行塑封，形成塑封体（40）；

在所述塑封体（40）上的位于所述导电块（30）的位置，进行深孔加工，形成深孔（50），直到暴露所述导电块（30）；

在深孔（50）中进行电镀，形成具有电性连接的导电层；

进行后续常规半导体封装工艺。

2.根据权利要求1所述的基于半导体封装的深孔加工工艺方法，其特征在于，所述导电块（30）为无源金属块。

3.根据权利要求1所述的基于半导体封装的深孔加工工艺方法，其特征在于，所述导电块（30）为可导电树脂。

4.根据权利要求1所述的基于半导体封装的深孔加工工艺方法，其特征在于，在所述塑封体（40）上的位于所述导电块（30）的位置，通过激光钻孔或者蚀刻的方式进行深孔加工。