[发明专利]具有TSV内联机的芯片堆栈封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210239009.2 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114725033A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 方立志 | 申请（专利权）人： | 艾司博国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 季辰玲 |
| 地址： | 中国香港九龙旺角弥敦道721*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种具有TSV内联机的芯片堆栈封装结构及其制造方法，封装结构包括扇出型封装，所述扇出型封装的相对第一面和第二面分别设有突出接点，所述扇出型封装通过所述突出接点的电性连接进行堆栈；所述扇出型封装内沿所述第一面及所述第二面并列封装有内存芯片以及带TSV的中介层芯片，所述内存芯片和所述中介层芯片通过沿所述第一面及所述第二面设置的再分配层互连。本发明封装结构中采用内有TSV的中介层芯片，芯片是垂直堆栈，所以芯片大小几乎接近封装体大小，TSV可以做到细微的间距小到30～40微米，所以TSV占的芯片空间比其它(间距大于50微米)内联机技术小。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 tsv 联机 芯片 堆栈 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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