[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202210218804.3 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN116190232A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 罗杰;孙红波 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 朱影 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成至少一个器件组，器件组包括源极、漏极、多个栅极以及有源层，其中，源极与有源层的源区接触，漏极与有源层的漏区接触，多个栅极位于源极和漏极之间，并位于有源层的至少一侧。本公开提供的制作方法，通过在衬底上形成源极、漏极、多个栅极和有源层，且多个栅极位于源极和漏极之间并位于有源层的至少一侧，使得多个栅极以“串联”或“并联”的方式设置在源极和漏极之间，进而能够通过多个栅极控制同一组源极和漏极之间电流的导通和断开，实现“与”、“或”等逻辑电路的基础上，减少接触点，增加了集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
