[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成至少一个器件组，所述器件组包括源极、漏极、多个栅极以及有源层，其中，所述源极与所述有源层的源区接触，所述漏极与所述有源层的漏区接触，所述多个栅极位于所述源极和所述漏极之间，并位于所述有源层的至少一侧。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成至少一个器件组包括：

在所述衬底的第一区域形成所述多个栅极；

形成第一栅介质层，所述第一栅介质层覆盖所述多个栅极以及所述衬底暴露的表面；

在所述第一栅介质层上形成源极和漏极；

形成有源层，所述有源层覆盖所述源极、所述漏极以及所述第一栅介质层暴露的表面。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述多个栅极沿第一方向排布，形成的所述器件组包括或门电路，所述在所述第一栅介质层上形成源极和漏极，包括：

在所述第一栅介质层的第二区域形成源极，并在所述第一栅介质层的第三区域形成漏极，所述第二区域位于所述第一区域的第二方向的一侧，所述第三区域位于所述第一区域的第二方向的另一侧，所述第二方向与所述第一方向垂直且与所述衬底的顶面平行。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述多个栅极沿第一方向排布，形成的所述器件组包括与门电路，所述在所述第一栅介质层上形成源极和漏极，包括：

在所述第一栅介质层的第二区域形成源极，并在所述第一栅介质层的第三区域形成漏极，所述第二区域位于所述第一区域的第一方向的一侧，所述第三区域位于所述第一区域的第一方向的另一侧。

5.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第一栅介质层上形成源极和漏极，包括：

在所述第一栅介质层上形成第一金属材料层；

平坦化所述第一金属材料层，并暴露出所述第一栅介质层中与所述第一区域对应的部分，保留的所述第一金属材料层构成所述源极和所述漏极。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述多个栅极包括第一栅极和第二栅极，形成的所述器件组包括或门电路，所述在所述衬底上形成至少一个器件组，包括：

在所述衬底的第四区域形成第一栅极；

形成第一栅介质层，所述第一栅介质层覆盖所述第一栅极以及所述衬底暴露的表面；

在所述第一栅介质层上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极沿第一方向分设在所述第一栅极的两侧；

形成有源层，所述有源层覆盖所述源极、所述漏极以及所述第一栅介质层暴露的表面；

形成覆盖所述有源层的第二栅介质层；

在所述第二栅介质层的第五区域形成第二栅极，所述第四区域和所述第五区域位置对应。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第一栅介质层上形成源极和漏极，包括：

在所述第一栅介质层上形成第一金属材料层；

平坦化所述第一金属材料层，并暴露出所述第一栅介质层中与所述第四区域对应的部分，保留的所述第一金属材料层构成所述源极和所述漏极。

8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、氧化铟锡。

9.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

衬底；

器件组，所述器件组设置于所述衬底上，所述器件组包括源极、漏极、多个栅极以及有源层，其中，所述源极与所述有源层的源区接触，所述漏极与所述有源层的漏区接触，所述多个栅极位于所述源极和所述漏极之间，并位于所述有源层的至少一侧。