[发明专利]铁电存储器器件及其制造方法

摘要

本公开总体涉及铁电存储器器件及其制造方法。本文公开了可提高铁电存储器器件的保持性能的铁电堆叠。一种示例性铁电堆叠具有设置在第一电极和第二电极之间的铁电开关层(FSL)堆叠。铁电堆叠包括设置在第一FSL和第二FSL之间的阻挡层，其中阻挡层的第一晶体条件不同于第一FSL和/或第二FSL的第二晶体条件。在一些实施例中，第一晶体条件为非晶相，并且第二晶体条件为正交相。在一些实施例中，第一FSL和/或第二FSL包括第一金属氧化物，并且阻挡层包括第二金属氧化物。铁电堆叠可以是铁电电容器、晶体管的一部分和/或连接到铁电存储器器件中的晶体管，来以非易失性方式提供数据存储。