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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202210144110.X在审
发明人： 李璧伸;卫怡扬;金海光;匡训冲;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种形成集成芯片的方法。该方法包括在衬底上方形成下电极层，以及在下电极层上方形成未图案化的非晶初始层。在未图案化的非晶初始层上形成具有基本均匀的非晶相的中间铁电材料层。执行退火工艺以将中间铁电材料层改变为具有基本均匀的正交晶相的铁电材料层。在铁电材料层上方形成上电极层。对上电极层、铁电材料层、未图案化的非晶初始层和下电极层执行一个或多个图案化工艺以形成铁电存储器器件。在铁电存储器器件上方形成上ILD层，并且形成上互连件以接触铁电存储器器件。本公开的实施例还涉及一种集成芯片。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]用于存储器的掺杂的侧壁间隔件/蚀刻停止层-CN202210341022.9在审
发明人： 李璧伸;金海光;匡训冲;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本公开涉及用于存储器的掺杂的侧壁间隔件/蚀刻停止层。本公开的各种实施例涉及一种集成电路(IC)芯片，包括存储器单元并且具有侧壁间隔件和/或蚀刻停止层，该侧壁间隔件和/或蚀刻停止层被掺杂以减少侧壁间隔件和蚀刻停止层之间的界面处的电荷积累。存储器单元包括底部电极、上覆于底部电极的数据存储元件、以及上覆于数据存储元件的顶部电极。侧壁间隔件在由数据存储元件和顶部电极形成的公共侧壁上上覆于底部电极，并且蚀刻停止层衬于侧壁间隔件。侧壁间隔件和蚀刻停止层在界面处直接接触并在界面处形成电偶极子。用于减少电荷积累的掺杂减小了由电偶极子产生的电场，从而减少了电场对存储器单元的影响。
用于存储器掺杂侧壁间隔蚀刻停止

[发明专利]集成芯片、存储器装置及其形成方法-CN202110918486.7在审
发明人：卫怡扬;李璧伸;赖昕钰;金海光;林杏莲;匡训冲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本发明各种实施例涉及一种集成芯片、存储器装置及其形成方法，所述存储器装置包括位于衬底之上的第一底部电极层。铁电开关层设置在第一底部电极层之上。第一顶部电极层设置在铁电开关层之上。第二底部电极层设置在第一底部电极层与铁电开关层之间。第二底部电极层与第一底部电极层相比更不容易氧化。
集成芯片存储器装置及其形成方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202110918219.X在审
发明人：金海光;卫怡扬;李璧伸;江法伸;匡训冲;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片，所述集成芯片包括配置在衬底之上的一个或多个内连线介电层。底部电极设置在导电结构之上且延伸穿过所述一个或多个内连线介电层。顶部电极设置在底部电极之上。铁电层设置在底部电极与顶部电极之间且接触底部电极及顶部电极。铁电层包括第一下部水平部分、第一上部水平部分及第一侧壁部分，所述第一上部水平部分配置在第一下部水平部分上方，所述第一侧壁部分将所述第一下部水平部分耦合到所述第一上部水平部分。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]铁电存储器器件及其制造方法-CN202210183999.2在审
发明人：卫怡扬;林子羽;李璧伸;金海光;林杏莲;匡训冲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本公开总体涉及铁电存储器器件及其制造方法。本文公开了可提高铁电存储器器件的保持性能的铁电堆叠。一种示例性铁电堆叠具有设置在第一电极和第二电极之间的铁电开关层(FSL)堆叠。铁电堆叠包括设置在第一FSL和第二FSL之间的阻挡层，其中阻挡层的第一晶体条件不同于第一FSL和/或第二FSL的第二晶体条件。在一些实施例中，第一晶体条件为非晶相，并且第二晶体条件为正交相。在一些实施例中，第一FSL和/或第二FSL包括第一金属氧化物，并且阻挡层包括第二金属氧化物。铁电堆叠可以是铁电电容器、晶体管的一部分和/或连接到铁电存储器器件中的晶体管，来以非易失性方式提供数据存储。
存储器器件及其制造方法

[发明专利]存储器件、形成其的方法及包括存储单元的存储器件-CN202110747101.5在审
发明人： 李璧伸;林子羽;卫怡扬;金海光;匡训冲;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种存储器件、形成其的方法及包括存储单元的存储器件，所述存储器件包括半导体衬底、设置在半导体衬底之上的第一电极、设置在第一电极与半导体衬底之间的铁电层及将第一电极与铁电层隔开的第一应力源层。第一应力源层具有比铁电层的热膨胀系数大的热膨胀系数。
存储器件形成方法包括单元

[发明专利]铁电随机存取存储器(FeRAM)器件及其形成方法-CN202110256000.8在审
发明人： 李璧伸;卫怡扬;林杏莲;匡训冲;蔡正原;金海光 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：方法包括形成底部电极层，以及在底部电极层上方沉积第一铁电层。第一铁电层是非晶的。在第一铁电层上方沉积第二铁电层，并且第二铁电层具有多晶结构。该方法还包括在第二铁电层上方沉积第三铁电层，其中，第三铁电层是非晶的，在第三铁电层上方沉积顶部电极层，以及图案化顶部电极层、第三铁电层、第二铁电层、第一铁电层和底部电极层，以形成铁电随机存取存储器单元。本申请的实施例还涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件及其形成方法。
随机存取存储器 feram 器件及其形成方法

[发明专利]存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片-CN202110055248.8在审
发明人： 李璧伸;金海光;江法伸;匡训冲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的各种实施例是关于一种存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片，所述存储器器件包含上覆衬底的数据存储结构。底部电极上覆衬底且顶部电极上覆底部电极。数据存储结构设置于底部电极与顶部电极之间。数据存储结构包括掺杂有第一掺杂物及第二掺杂物的介电材料，其中第一掺杂物与第二掺杂物不同。
存储器器件用于形成方法集成芯片

[发明专利]具有薄层层析的拉曼检测芯片及分离检测分析物的方法-CN201711444998.4有效
发明人：林鼎晸;严大任;李璧伸;黄致豪 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开一种具有薄层层析的拉曼检测芯片及分离检测分析物的方法。该具有薄层层析的拉曼检测芯片包含一硅基底，包含一第一部分、第二部分、及配置于该第一部分之上的多条纳米线，其中每一纳米线具有一顶端表面及一侧壁；以及，一金属层覆盖该纳米线的顶端表面及至少部分侧壁，其中该纳米线的总长度L为5μm至15μm。该金属层覆盖的该纳米线侧壁的长度L1与该纳米线的总长度L的比为0.2至0.8。
具有薄层层析检测芯片分离分析方法

[发明专利]集成芯片、存储器器件及其形成方法-CN202011629122.9在审
发明人： 李璧伸;金海光;匡训冲;蔡子中;张耀文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片、存储器器件及其形成方法。存储器器件包括设置在衬底上方的下部层间介电(ILD)层内的下部互连上方的底部电极。数据存储结构位于底部电极上方。第一顶部电极层设置在数据存储结构上方，第二顶部电极层位于第一顶部电极层上。与第一顶部电极层相比，第二顶部电极层不易被氧化。顶部电极通孔位于第二顶部电极层上方并且电耦合到第二顶部电极层。
集成芯片存储器器件及其形成方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202110162266.6在审
发明人： 李璧伸;林杏莲;匡训冲;卫怡扬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片。该集成芯片包括设置在衬底上方的底部电极和设置在底部电极上方的顶部电极。铁电切换层布置在底部电极和顶部电极之间。铁电切换层配置为基于施加到底部电极或顶部电极的一个或多个电压改变极化。晶种层布置在底部电极和顶部电极之间。晶种层和铁电切换层具有非单斜晶相。本申请的实施例还涉及形成集成芯片的方法。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]集成芯片、存储器件及其形成方法-CN202110255835.1在审
发明人：江法伸;蔡正原;金海光;林杏莲;匡训冲;李璧伸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及存储器单元，该存储器单元包括设置在顶部电极与底部电极之间的数据存储结构。该数据存储结构包括覆盖在底部电极上的下部交换层和覆盖在下部交换层上的上部交换层。下部交换层包括掺杂有第一掺杂剂的介电材料。本申请的实施例还涉及集成芯片、存储器件及其形成方法。
集成芯片存储器件及其形成方法

[发明专利]RRAM器件及其形成方法-CN202010639969.9在审
发明人：江法伸;蔡正原;金海光;林杏莲;李璧伸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及电阻式随机存取存储器(RRAM)器件及其形成方法。在一些实施例中，可以通过在衬底上方形成第一电极结构来执行该方法。在第一电极结构上方形成掺杂的数据存储元件。通过在第一电极结构上方形成第一数据存储层以及在第一数据存储层上方形成第二数据存储层来形成掺杂的数据存储元件。第一数据存储层形成为具有第一掺杂浓度的掺杂剂，并且第二数据存储层形成为具有第二掺杂浓度的掺杂剂，该第二掺杂浓度小于第一掺杂浓度。在掺杂的数据存储元件上方形成第二电极结构。
rram 器件及其形成方法

[发明专利]存储器件、集成芯片及其形成方法-CN202010652708.0在审
发明人：金海光;吴启明;林杏莲;蔡子中;江法伸;李璧伸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及一种包括经共掺杂的数据储存结构的存储单元。底部电极上覆在衬底上，而顶部电极上覆在底部电极上。数据储存结构设置在顶部电极与底部电极之间。数据储存结构包含掺杂有第一掺杂剂及第二掺杂剂的介电材料。
存储器件集成芯片及其形成方法

[发明专利]具有薄层层析的拉曼检测芯片及分离检测分析物的方法-CN201611186111.1有效
发明人：林鼎晸;严大任;李璧伸;黄致豪 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开一种具有薄层层析的拉曼检测芯片及分离检测分析物的方法。该具有薄层层析的拉曼检测芯片包含一硅基底，包含一平坦部及配置于该平坦部之上的多个纳米线，其中每一纳米线具有一顶端表面及一侧壁；以及，一金属层覆盖该纳米线的顶端表面及至少部分侧壁，其中该纳米线的总长度L为5μm至15μm。
具有薄层层析检测芯片分离分析方法

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