[发明专利]铁电存储器器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210183999.2 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114709213A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 卫怡扬;林子羽;李璧伸;金海光;林杏莲;匡训冲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11507 | 分类号： | H01L27/11507;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种存储器器件，包括：
铁电堆叠，具有：
第一电极和第二电极；
第一铁电层和第二铁电层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，其中，所述第一铁电层和所述第二铁电层包括第一电介质材料；以及
电介质层，设置在所述第一铁电层和所述第二铁电层之间，其中，所述电介质层包括与所述第一电介质材料不同的第二电介质材料。
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一电介质材料具有晶体结构，并且所述第二电介质材料具有非晶体结构。
3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述晶体结构具有正交晶相。
4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一电介质材料为第一金属氧化物材料，并且所述第二电介质材料为第二金属氧化物材料。
5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述铁电堆叠具有倾斜侧壁，使得所述铁电堆叠具有锥形宽度。
6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述铁电堆叠具有竖直侧壁，使得所述铁电堆叠具有均匀宽度。
7.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述铁电堆叠具有阶梯侧壁，使得所述铁电堆叠具有变化宽度。
8.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述电介质层的第一能带隙大于所述第一铁电层的第二能带隙和所述第二铁电层的第三能带隙。
9.一种存储器器件，包括：
晶体管，设置在衬底之上；
铁电存储器堆叠，设置在所述衬底之上，其中，所述铁电存储器堆叠包括：
第一电极和第二电极，以及
铁电开关层(FSL)堆叠，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，其中，所述FSL堆叠包括第一FSL、第二FSL和设置在所述第一FSL和所述第二FSL之间的阻挡层，其中，所述阻挡层的第一晶体条件不同于所述第一FSL和所述第二FSL的第二晶体条件；以及
互连结构，设置在所述衬底之上，其中，所述互连结构电连接到所述晶体管和所述铁电存储器堆叠。
10.一种用于形成铁电存储器堆叠的方法，所述方法包括：
在衬底之上形成第一电极层；
在所述第一电极层之上形成第一铁电电介质层，其中，所述第一铁电电介质层具有第一晶体条件；
在所述第一铁电电介质层之上形成电介质层，其中，所述电介质层具有第二晶体条件并且所述第二晶体条件不同于所述第一晶体条件；
在所述电介质层之上形成第二铁电电介质层，其中，所述第二铁电电介质层具有第三晶体条件并且所述第二晶体条件不同于所述第三晶体条件；以及
在所述第二铁电电介质层之上形成第二电极层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
