[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202210176134.3 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN115799317A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 铃木都文;上牟田雄一 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H10B43/30;H10B41/30;G11C8/08;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 万利军;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储装置具备：第1半导体层，在第1方向上延伸；第1导电层及第2导电层，在第1方向上排列，分别与第1半导体层相对；第1绝缘部，设置在第1半导体层与第1导电层之间，包含氧(O)和铪(Hf)；第2绝缘部，设置在第1半导体层与第2导电层之间，包含氧(O)和铪(Hf)；以及第1电荷蓄积层，设置在第1绝缘部与第2绝缘部之间，与第1导电层以及第2导电层分开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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