[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1半导体层，在第1方向上延伸；

第1导电层及第2导电层，在所述第1方向上排列，分别与所述第1半导体层相对；

第1绝缘部，设置在所述第1半导体层与所述第1导电层之间，包含氧即O和铪即Hf；

第2绝缘部，设置在所述第1半导体层与所述第2导电层之间，包含氧即O和铪即Hf；以及

第1电荷蓄积层，设置在所述第1绝缘部与所述第2绝缘部之间，与所述第1导电层以及所述第2导电层分开。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，具备：

第1绝缘层，包括所述第1绝缘部；

第2绝缘层，包括所述第2绝缘部，在所述第1方向上与所述第1绝缘层分开；

第3绝缘部，设置在所述第1绝缘层和所述第1半导体层之间；以及

第4绝缘部，设置在所述第2绝缘层和所述第1半导体层之间。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，

具备第2电荷蓄积层，所述第2电荷蓄积层设置在所述第1绝缘部与所述第2绝缘部之间，与所述第1导电层以及所述第2导电层分开，在所述第1方向上与所述第1电荷蓄积层分开，

所述第1电荷蓄积层与所述第1绝缘层以及所述第3绝缘部相接，

所述第2电荷蓄积层与所述第2绝缘层以及所述第4绝缘部相接。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，

所述第1电荷蓄积层与所述第1绝缘层、所述第2绝缘层、所述第3绝缘部以及所述第4绝缘部相接。

5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，具备：

第3导电层，设置在所述第1绝缘层和所述第3绝缘部之间；和

第4导电层，设置在所述第2绝缘层和所述第4绝缘部之间。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，具备：

第3绝缘层，包括所述第1绝缘部和所述第2绝缘部；

第3绝缘部，设置在所述第1绝缘部和所述第1半导体层之间；以及

第4绝缘部，设置在所述第2绝缘部和所述第1半导体层之间。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，

具备第2电荷蓄积层，所述第2电荷蓄积层设置在所述第1绝缘部与所述第2绝缘部之间，与所述第1导电层以及所述第2导电层分开，在所述第1方向上与所述第1电荷蓄积层分开，

所述第1电荷蓄积层与所述第3绝缘层以及所述第3绝缘部相接，

所述第2电荷蓄积层与所述第3绝缘层以及所述第4绝缘部相接。

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，

所述第1电荷蓄积层与所述第3绝缘层、所述第3绝缘部以及所述第4绝缘部相接。

9.根据权利要求6所述的半导体存储装置，具备：

第3导电层，设置在所述第3绝缘层和所述第3绝缘部之间；和

第4导电层，设置在所述第3绝缘层和所述第4绝缘部之间。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第1导电层具备：

第1部分，距所述第1半导体层的距离比预定的大小小；和

第2部分，距所述第1半导体层的距离比预定的大小大，

所述第1部分的所述第1方向上的厚度比所述第2部分的所述第1方向上的厚度小。

11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

具备基板，

所述第1方向与所述基板的表面交叉。

12.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第1绝缘部和所述第2绝缘部包含正交晶作为结晶构造。

13.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第1电荷蓄积层包括浮置栅极。