[发明专利]半导体存储装置

说明书

半导体存储装置具备：第1半导体层，在第1方向上延伸；第1导电层及第2导电层，在第1方向上排列，分别与第1半导体层相对；第1绝缘部，设置在第1半导体层与第1导电层之间，包含氧(O)和铪(Hf)；第2绝缘部，设置在第1半导体层与第2导电层之间，包含氧(O)和铪(Hf)；以及第1电荷蓄积层，设置在第1绝缘部与第2绝缘部之间，与第1导电层以及第2导电层分开。

关联申请的引用

本申请以基于在2021年09月10日申请的在先的日本国专利申请第2021-147983号的优先权的利益为基础，并且，要求该利益，其内容整体通过引用而包含于此。

技术领域

本实施方式涉及半导体存储装置。

背景技术

已知包括多个存储器晶体管的半导体存储装置。在这些多个存储器晶体管的栅极绝缘层例如设置有氮化硅(Si₃N₄)等的绝缘性的电荷蓄积层、浮置栅极等的导电性的电荷蓄积层、铁电层等的能够存储数据的存储部。

发明内容

一个实施方式提供长寿命的半导体存储装置。

一个实施方式涉及的半导体存储装置具备：第1半导体层，在第1方向上延伸；第1导电层及第2导电层，在第1方向上排列，分别与第1半导体层相对；第1绝缘部，设置在第1半导体层与第1导电层之间，包含氧(O)和铪(Hf)；第2绝缘部，设置在第1半导体层与第2导电层之间，包含氧(O)和铪(Hf)；以及第1电荷蓄积层，设置在第1绝缘部与第2绝缘部之间，与第1导电层以及第2导电层分开。

根据上述的构成，能够提供长寿命的半导体存储装置。

附图说明

图1是示出第1实施方式涉及的半导体存储装置的一部分的构成的示意性的电路图。

图2是该半导体存储装置的示意性的俯视图。

图3是示出该半导体存储装置的一部分的构成的示意性的立体图。

图4是将图3的A所示的部分放大示出的示意性的剖视图。

图5是用于对存储单元MC的阈值电压进行说明的示意性的直方图。

图6是用于对存储单元MC的极化率进行说明的示意性的曲线图。

图7是用于对存储单元MC的状态进行说明的示意性的剖视图。

图8是用于对存储单元MC的状态进行说明的示意性的剖视图。

图9是用于对存储单元MC的状态进行说明的示意性的能带图。

图10是用于对存储单元MC的状态进行说明的示意性的能带图。

图11是用于对第1实施方式涉及的半导体存储装置的制造方法进行说明的示意性的剖视图。

图12是用于对该制造方法进行说明的示意性的剖视图。

图13是用于对该制造方法进行说明的示意性的剖视图。

图14是用于对该制造方法进行说明的示意性的剖视图。

图15是用于对该制造方法进行说明的示意性的剖视图。

图16是用于对该制造方法进行说明的示意性的剖视图。

图17是用于对该制造方法进行说明的示意性的剖视图。

图18是用于对该制造方法进行说明的示意性的剖视图。

图19是用于对该制造方法进行说明的示意性的剖视图。

图20是用于对该制造方法进行说明的示意性的剖视图。