[发明专利]功率半导体模块装置在审

专利信息
申请号: 202210171192.7 申请日: 2022-02-24
公开(公告)号: CN114975288A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: R·L·奇尔布斯;G·伯尼希;J·德博克;M·格德斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/04 分类号: H01L23/04;H01L23/14;H01L23/18;H01L23/48;H01L25/07
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 张伟
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种功率半导体模块装置包括壳体;衬底,布置在壳体内部并包括电介质绝缘层和布置在电介质绝缘层第一侧上的第一金属化层;至少一个半导体主体,安装在第一金属化层的背离电介质绝缘层的第一表面上;第一印刷电路板,布置在壳体内部,基本与衬底平行且垂直地位于衬底上方;以及多个第一端子元件,其机械连接到第一金属化层,其中每一个第一端子元件都从第一金属化层沿垂直于第一表面的垂直方向朝向第一印刷电路板延伸,其中每一个第一端子元件都包括压入配合销,第一印刷电路板包括多个通孔,每一个压入配合销都布置在一个通孔中,并且第一印刷电路板主要通过多个第一端子元件和由多个压入配合销形成的连接部而保持在相对于衬底的期望位置处。
搜索关键词: 功率 半导体 模块 装置
【主权项】:
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