[发明专利]一种半导体结构、器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210103757.8 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114122114A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 刘尧;刘盛富;刘筱伟;刘海彬;段花花;刘森 | 申请（专利权）人： | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构、器件及其制备方法，在所述半导体结构中形成所述中间隔断层，其中，所述中间隔断层为由具有不同导电类型的第一导电类型层及第二导电类型层构成，所述第一导电类型层及所述第二导电类型层相接触，且所述第一导电类型层与所述第二导电类型层交替设置，从而可利用PN结的耗尽层的隔断作用，提高所述半导体结构的电阻率，进而以达到减小衬底噪声的作用，以制备高频率、低损耗的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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