[发明专利]一种半导体发光元件在审

专利信息
申请号: 202210071542.2 申请日: 2022-01-21
公开(公告)号: CN114420811A 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 王程刚 申请(专利权)人: 安徽格恩半导体有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32
代理公司: 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955 代理人: 戴丽伟
地址: 237161 安徽省六安*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体光电器件的技术领域,特别是涉及一种半导体发光元件,其从下至上依次包括衬底、第一导电型半导体,多量子阱,导电型空穴注入层和第二导电型半导体,所述导电型空穴注入层的H浓度为5E18~1E20cm‑3,O浓度为1E17~5E18cm‑3,通过设置导电型空穴注入层并控制其C/H/O含量比例,能够提升电子的势垒高度和降低空穴的势垒高度,有效地阻挡电子溢流,提升空穴注入多量子阱的效率提升空穴注入多量子阱的效率,从而提升半导体发光元件的辐射复合效率。
搜索关键词: 一种 半导体 发光 元件
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽格恩半导体有限公司,未经安徽格恩半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210071542.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top