[发明专利]一种半导体发光元件在审
| 申请号： | 202210071542.2 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114420811A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 王程刚 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955 | 代理人： | 戴丽伟 |
| 地址： | 237161 安徽省六安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 元件 | ||
1.一种半导体发光元件，其特征在于，从下至上依次包括衬底、第一导电型半导体，多量子阱，导电型空穴注入层和第二导电型半导体，所述导电型空穴注入层的H浓度为5E18～1E20cm-3，O浓度为1E17～5E18cm-3。
2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第一导电型半导体的H浓度为1E17～1E18cm-3，O浓度为1E16～5E17cm-3。
3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述多量子阱的H浓度为1E17～1E18cm-3，O浓度为1E16～1E18cm-3。
4.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第二导电型半导体的H浓度为1E18～5E21cm-3，O浓度为1E17～5E21cm-3。
5.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述导电型空穴注入层的Mg掺杂浓度大于1E19cm-3。
6.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第二导电型半导体的Mg掺杂浓度大于1E18cm-3。
7.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第一导电型半导体、第二导电型半导体、多量子阱的材料为AlxInyGa1-x-yN材料，其中Al组分x为0～40％，y为0～80％；多量子阱发出的光为紫外波段至黄光波段介于350～600nm。
8.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，控制所述导电型空穴注入层H/O含量比例，提升电子的势垒高度和降低空穴的势垒高度，有效地阻挡电子溢流，提升空穴注入多量子阱的效率，从而提升半导体发光元件的辐射复合效率。
9.如权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，控制第一导电型半导体H/O含量在规定的范围内，提升二维生长速率，促进半导体合并，获得平整原子级台阶的表面，并获得高载流子浓度大于5E18cm-3的第一导电型半导体。
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