[发明专利]一种半导体结构制作方法、半导体结构和存储器在审
| 申请号： | 202210023105.3 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN116471831A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张竞存;张颖玲 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构制作方法、半导体结构和存储器，半导体结构制作方法包括：提供基底，所述基底中形成有有源区以及与所述有源区相邻的浅沟槽隔离结构；在所述基底上形成接触孔，所述接触孔的底部暴露至少部分所述有源区和至少部分所述浅沟槽隔离结构；于所述接触孔中形成导电插塞，所述导电插塞的底部与所述有源区电性连接；形成第一隔离结构，所述第一隔离结构填充所述接触孔并与所述导电插塞直接接触；其中，所述第一隔离结构包括第一叠层结构。本公开能够减少漏电的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制作方法 存储器 | ||
【主权项】：
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