[发明专利]一种半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210022205.4 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114429900A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 施洋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3213;H01L23/528;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，提供衬底，在衬底上生长一栅氧层，在栅氧层上形成多晶硅层；在多晶硅层上方形成具有栅极形成区域图案的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，利用各向同性刻蚀工艺去除部分多晶硅层，在光刻胶层与多晶硅层之间形成底切；以光刻胶层为掩膜，利用各向异性刻蚀工艺去除剩余的多晶硅层，在栅氧层上方形成左上角呈斜坡状的多晶硅栅极；形成覆盖多晶硅栅极顶部和侧面的氧化层，氧化层和裸露的栅氧层表面共同呈斜坡台阶状；在氧化层和栅氧层表面形成一介质层。本发明解决了由于多晶硅刻蚀边缘为直角导致钨刻蚀难以刻蚀干净产生钨残留进而造成器件短路的问题，提升了器件良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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