[发明专利]一种半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210022205.4 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114429900A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 施洋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3213;H01L23/528;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、提供衬底，在所述衬底上生长一栅氧层，在所述栅氧层上形成多晶硅层；
步骤二、在所述多晶硅层上方形成具有栅极形成区域图案的光刻胶层；
步骤三、以所述光刻胶层为掩膜，利用各向同性刻蚀工艺去除部分所述多晶硅层，在所述光刻胶层与所述多晶硅层之间形成底切；
步骤四、以所述光刻胶层为掩膜，利用各向异性刻蚀工艺去除剩余的所述多晶硅层，在所述栅氧层上方形成左上角呈斜坡状的多晶硅栅极；
步骤五、形成覆盖所述多晶硅栅极顶部和侧面的氧化层，所述氧化层和裸露的所述栅氧层表面共同呈斜坡台阶状；
步骤六、在所述氧化层和所述栅氧层表面形成一介质层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤一中所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤三中所述各向同性刻蚀工艺的刻蚀条件为：功率为900～1100W，压强为70～90mT，时间为30～60s，刻蚀气体为O2和CF4。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述O2的气体流量为30～50sccm，所述CF4的气体流量为80～120sccm。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤四中在对所述多晶硅层刻蚀完成后，去除所述光刻胶层。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤六中所述介质层为BPSG膜层。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤六中所述介质层呈斜坡台阶状。
8.一种采用权利要求1至7中任一项所述半导体结构的制造方法形成的半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上方的栅氧层；
位于所述栅氧层上方的多晶硅栅极；
覆盖所述多晶硅顶部和侧面的氧化层；以及
位于所述栅氧层和所述氧化层上方的介质层；
其中，所述多晶硅栅极的左上角呈斜坡状；所述介质层呈斜坡台阶状。
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