[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置在审
| 申请号： | 202180030559.7 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN115443542A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 小宫山典宏;野口晴司;伊仓巧裕;樱井洋辅;原田祐一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/322;H01L21/329;H01L21/265;H01L29/06;H01L29/739;H01L21/336;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;周春燕 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具备如下注入工序：从半导体基板的注入面向第一注入位置注入第一导电型的第一掺杂剂，在注入第一掺杂剂后，从半导体基板的注入面向距注入面的距离比第一注入位置距注入面的距离更大的第二注入位置注入第一导电型的第二掺杂剂。第一注入位置和第二注入位置可以配置在缓冲区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180030559.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
