[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下注入工序：

从半导体基板的注入面向第一注入位置注入第一导电型的第一掺杂剂，在注入所述第一掺杂剂后，从所述半导体基板的所述注入面向第二注入位置注入所述第一导电型的第二掺杂剂，所述第二注入位置是距所述注入面的距离比所述第一注入位置距所述注入面的距离更大的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一掺杂剂与所述第二掺杂剂是相同元素的掺杂剂。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一掺杂剂与所述第二掺杂剂是氢离子。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一掺杂剂与所述第二掺杂剂中的一者是磷离子，另一者是氢离子。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述注入工序中，将包含所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂在内的三个以上的所述第一导电型的掺杂剂从所述半导体基板的所述注入面向彼此不同的深度的注入位置注入，

在所述注入工序中，最先注入三个以上的所述掺杂剂中的、向最接近所述半导体基板的所述注入面的所述注入位置注入的掺杂剂。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述注入工序中，最后注入三个以上的所述掺杂剂中的、向最远离所述半导体基板的所述注入面的所述注入位置注入的掺杂剂。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述注入工序中，从距所述半导体基板的所述注入面的距离近的所述注入位置起依次注入所述掺杂剂。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

三个以上的所述掺杂剂的所述注入位置中的距所述半导体基板的所述注入面的距离最远的所述注入位置与所述半导体基板的所述注入面之间的距离是所述半导体基板的厚度的一半以下。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体基板具备：

第一导电型的漂移区；以及

缓冲区，其设置在所述漂移区与所述半导体基板的所述注入面之间，并且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高，

所述第一注入位置和所述第二注入位置配置在所述缓冲区。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体基板具备设置在所述缓冲区与所述注入面之间的第二导电型的集电区，

在所述注入工序之后，形成所述集电区。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体装置的制造方法还具备向所述缓冲区注入氦离子的氦注入工序。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述氦注入工序中，向所述缓冲区的不同的深度位置注入所述氦离子。

13.根据权利要求11或12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体装置的制造方法还具备：

第一退火工序，在所述注入工序之后且所述氦注入工序之前，对所述半导体基板进行退火；以及

第二退火工序，在所述氦注入工序之后，对所述半导体基板进行退火。