[实用新型]一种耐高压的半导体场效应管有效
| 申请号： | 202121666135.3 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN215069947U | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 覃德益 | 申请（专利权）人： | 深圳市德芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/40 |
| 代理公司： | 深圳市汉瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 44766 | 代理人： | 李航 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种耐高压的半导体场效应管，属于半导体相关技术领域，包括外壳和安装座，外壳的内侧壁上设置有安装槽一，安装槽一的内侧壁上固定安装有安装板，安装板上设置有安装槽二，安装槽二的内侧壁上固定安装有电子元件，外壳的底部设置有安装槽三，安装槽三的内侧壁上固定安装有冷却箱，冷却箱的内侧壁上固定安装有电机箱，电机箱的内侧壁上固定安装有抽水泵，冷却箱内填充有冷却液，冷却箱的底部与外壳的连接区域设置有内腔，内腔的内侧壁上固定安装有制冷片，外壳的一侧设置有安装孔一，使用者可用力对外壳进行拔取，进而可使固定块受力缩回，从而可解除对外壳的限位，便于安装和拆卸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
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