[实用新型]一种耐高压的半导体场效应管有效

专利信息
申请号: 202121666135.3 申请日: 2021-07-21
公开(公告)号: CN215069947U 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 覃德益 申请(专利权)人: 深圳市德芯微电子有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/40
代理公司: 深圳市汉瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 44766 代理人: 李航
地址: 518000 广东省深圳市南山区桃*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高压 半导体 场效应
【权利要求书】:

1.一种耐高压的半导体场效应管,其特征在于:包括外壳(1)和安装座(2),所述外壳(1)的内侧壁上设置有安装槽一,所述安装槽一的内侧壁上固定安装有安装板(3),所述安装板(3)上设置有安装槽二,所述安装槽二的内侧壁上固定安装有电子元件,所述外壳(1)的底部设置有安装槽三,所述安装槽三的内侧壁上固定安装有冷却箱(4),所述冷却箱(4)的内侧壁上固定安装有电机箱(5),所述电机箱(5)的内侧壁上固定安装有抽水泵(6),所述冷却箱(4)内填充有冷却液(7),所述冷却箱(4)的底部与所述外壳(1)的连接区域设置有内腔,所述内腔的内侧壁上固定安装有制冷片(8),所述外壳(1)的一侧设置有安装孔一,所述外壳(1)的另一侧设置有安装孔二,所述外壳(1)的一端固定安装有凸块(9),所述凸块(9)的两侧均设置有凹槽一,所述凹槽一的内侧壁上固定安装有弹簧(10),所述安装座(2)上设置有固定槽,所述固定槽的内侧壁上设置有凹槽三,所述弹簧(10)的一端固定安装有固定块(11),所述凸块(9)穿设在所述固定槽内。

2.根据权利要求1所述的一种耐高压的半导体场效应管,其特征在于:所述安装孔一的内侧壁上固定安装有散热片一(12),所述安装孔二的内侧壁上固定安装有散热片二(13)。

3.根据权利要求2所述的一种耐高压的半导体场效应管,其特征在于:所述散热片一(12)和所述散热片二(13)的一端均穿设在所述冷却箱(4)内,所述固定块(11)穿设在所述凹槽三内。

4.根据权利要求1所述的一种耐高压的半导体场效应管,其特征在于:所述外壳(1)的内侧壁上设置有凹槽二,所述凹槽二的内侧壁上固定安装有连接器(14)。

5.根据权利要求4所述的一种耐高压的半导体场效应管,其特征在于:所述连接器(14)的底部设置有螺纹孔,所述外壳(1)的底部设置有引脚(15)。

6.根据权利要求5所述的一种耐高压的半导体场效应管,其特征在于:所述引脚(15)和所述螺纹孔的数量均为二个,所述引脚(15)的顶部固定安装有螺纹杆(16)。

7.根据权利要求6所述的一种耐高压的半导体场效应管,其特征在于:所述引脚(15)通过所述螺纹杆(16)与所述螺纹孔的相互配合固定安装在所述连接器(14)上。

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